Samsung は、2nm チップの製造プロセスで Back Side Power Delivery Network (BSPDN) と呼ばれる技術を使用する予定です。この技術は、先週、Samsung が主催する SEDEX 2022 カンファレンスで、研究者の Park Byung-jae によって発表されました。
技術的には、BSPDN はトランジスタがチップ上に配置される方法を変更しませんが、Samsung、Intel、および TSMC で使用されるチップレット設計のさらなる進化であり、FinFET、GAA、および MBCFET などの技術の進化です。
BSPDN を使用すると、複雑なシステム オン チップ (SoC) を作成できます。SoC には、さまざまな技術プロセスを使用して製造された、さまざまな企業のさまざまなチップを含めることができます。
BSPDN テクノロジのもう 1 つの利点は、いわゆる 3D-SoC (論理要素がメモリと組み合わされたチップセット) を作成できることです。 BSPDN テクノロジを使用すると、シリコンの下に導電層を配置し、最上層 (FSPDN) を制御信号と電源に使用することもできます。
予備計算によると、新しい BSPDN テクノロジを使用して製造されたチップは、Samsung の現在の 3nm GAA チップよりも 44% 高い性能を持ち、30% 少ない電力を消費します。
2022-10-20 18:25:32
著者: Vitalii Babkin